P0170PC

描述

PLC控制系统的输出电路设计

依据牛产工艺要求，各种指示灯、变频器/数字直流调速器的启动/停止应采用晶体管输出，它适应高频动作，并且响应时间短；如果PLC系统输出频率为每分钟6次以下，应首选继电器输出，采用这种方法，输出电路的设计简单，抗干扰和带负载能力强。

3、PLC控制系统的抗干扰设计

一般采用以下几种方式。

(1)隔离：由于电网中的高频干扰主要是原、副边绕组之间的分布电容耦合而成，所以建议采用1：1超隔离变压器，并将中性点经电容接地。

(2)布线：强电动力线路、弱电信号线分开走线，并日．要有一定的间隔：模拟信号传输线采用双绞线屏蔽电缆。

(3)屏蔽：一般采用金属外壳屏蔽，将PLC系统内置于金属柜之内。金属柜外壳可靠接地，能起到良好的静电、磁场屏蔽作用，防止空间辐射干扰。

欧美品牌停产的“DCS系统备品备件

欧美品牌常用的“DCS系统备品备件

欧美品牌停产的，常用的“PLC”备品备件

我司产品应用于以下领域：

1,《发电厂DCS监控系统》

2,《智能平钢化炉系统制造》

3,《PLC可编程输送控制系统》

4,《DCS集散控制系统》
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5,《智能型消防供水控制系统》

6,《化工厂药液恒流量计算机控制系统》

7,《电气控制系统》造纸,印染生产线,变电站综合自动化控制系列

本特利，英维思，伍德沃德，福克斯波罗、西屋、瑞恩、施耐德莫迪康、ABB、AB、西门子、摩托罗拉、GE发那科、安川、博世力士乐，ACSO，力士乐等各大品牌的DCS系统配件，机器人系统配件，大型伺服系统备件。

Dell R710 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung

Dell R710 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Hynix

Dell R710 4GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Samsung

Dell R710 8GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Hynix

Dell R710 8GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung

Dell R710 8GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Hynix

Dell R710 8GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Samsung

Dell R710 16GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung

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Dell R610 2GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Hynix

Dell R610 2GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM HYNIX

Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Nanya

Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Hynix

Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung

Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Elpida

Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Samsung

Dell R610 8GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Hynix

Dell R610 8GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung

Dell R610 8GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Hynix

Dell R610 8GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Samsung

Dell R610 16GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung

Dell R510 2GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Hynix

Dell R510 2GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung