描述
1.变压器过负荷。
2.变压器内部故障。例如:绕组匝间短路、层间短路、绕组对周围放电、内部引线接头发热;铁芯多点接地使涡流增大而引起的发热;零序不平衡电流等漏磁通形成回路而引起的发热等。发生这些情况,还将伴随着瓦斯保护和差动保护动作,故障严重时还可能使防爆管(或压力释放阀)喷油等原因。
3.冷却装置运行不正常或发生故障。如潜油泵停转、风扇损坏、散热管道积垢冷却效果不良、散热器阀门未打开、散热器管道堵塞等原因。
欧美品牌停产的“DCS系统备品备件
欧美品牌常用的“DCS系统备品备件
欧美品牌停产的,常用的“PLC”备品备件
我司产品应用于以下领域:
1,《发电厂DCS监控系统》
2,《智能平钢化炉系统制造》
3,《PLC可编程输送控制系统》
4,《DCS集散控制系统》
5,《智能型消防供水控制系统》
6,《化工厂药液恒流量计算机控制系统》
7,《电气控制系统》造纸,印染生产线,变电站综合自动化控制系列
本特利,英维思,伍德沃德,福克斯波罗、西屋、瑞恩、施耐德莫迪康、ABB、AB、西门子、摩托罗拉、GE发那科、安川、博世力士乐,ACSO,力士乐等各大品牌的DCS系统配件,机器人系统配件,大型伺服系统备件。
Dell R710 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung
Dell R710 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Hynix
Dell R710 4GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Samsung
Dell R710 8GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Hynix
Dell R710 8GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung
Dell R710 8GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Hynix
Dell R710 8GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Samsung
Dell R710 16GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung
Dell R610 2GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung
Dell R610 2GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Hynix
Dell R610 2GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM HYNIX
Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Nanya
Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Hynix
Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung
Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Elpida
Dell R610 4GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Samsung
Dell R610 8GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Hynix
Dell R610 8GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung
Dell R610 8GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Hynix
Dell R610 8GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Samsung
Dell R610 16GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung
Dell R510 2GB Memory Module DDR3 PC3-10600R RAM Hynix
Dell R510 2GB Memory Module DDR3 PC3-8500R RAM Samsung